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Jupiter-V02-I设备是应用于LED芯片上ITO 镀膜的专有设备。该设备采用磁控溅射和离子束技术,实现在Si基、GaAs基以及GaN基的晶元基板?#31995;腎TO 薄膜沉积。配合相应的薄膜沉积工艺,由Jupiter-V02-I所提供的ITO 薄膜,不但具有优异的结合力,同时也具良好的均匀性。由于采用独特的靶材设计,可使ITO 靶材消耗量降低约18%,有效降低了ITO 靶材使用成本。
        Jupiter-V02-I设备具有良好稳定性和高度自动化程度,?#37096;?#26681;据客户的要求实现多功能?#25237;?#29992;途以适用于客户独立的工艺开发要求。 

技术优势:
PVD 薄膜沉积技术:磁控溅射和离子束
工艺气体:5N Ar, 5NO2
两吋晶圆装载量:112片;四吋晶圆装载量:28片
薄厚均匀性:±5%
在线膜厚检测?#28034;?#21046;
控?#21697;?#24335;:PLC+工业控制电?#21248;?#33258;动控制

典型应用:
  LED 芯片ITO薄膜制作
 
 

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